特点

• 失调电压：
  35 µ V (最大值，25 ° C，SOIC 封装，单/双/四通道)
  55 µ V (最大值，25 ° C，其它封装，单/双/四通道)
  失调电压温漂：
  0.5 µ V/° C (最大值，B 级，SOIC 封装，单/双/四通道)
  1.0 µ V/° C (最大值，A 级，SOIC 封装，单/双/四通道)
  低输入电流：25 pA (最大值，25 ° C）
  低电压噪声密度：11nA / Hz(f = 1 kHz)
  输入共模电压低至负电源轨
  CMRR：120 dB (最小值，25 ° C)
  PSRR：120 dB (最小值，全温度范围)
  AVOL：120 dB (最小值，全温度范围)
  供电电流：每路放大器 1 mA
  增益带宽积：3 MHz，单位增益稳定
  单/双电源供电：±2.25 V 至±18 V，4.5 V～36 V
  额定工作温度范围：- 40 ° C 至+ 125 ° C
  
  

用途

• 精密数据采集
  仪器仪表
  传感器信号调理
  工业控制
  通信系统
  智能电网
  

部分参数

• 工作温度：–40°C～125°C 
  贮存温度：–65°C～150°C
  最高结温：150℃